特許

J-GLOBAL ID：200903076094779270

GaAs/GaInP構造を含む半導体装置及びその形成方法

発明者： ウィリアム ウェイ - チュング リウ ,  ショウ - コング ファン ,  ティモシー エス.ヘンダーソン ,  ダレル ジー.ヒル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336035
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007015
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 メサが実質的垂直側壁を有するGaInP/GaAs構造。【構成】 本発明の一形式においてGaAs34及びGaInP32の連続層の一部分を除去する方法で、前記方法はGaAs層上で異方性反応性イオン・エッチングを行い、GaInP層上で等方性ウェット・エッチングを行い、反応性イオン・エッチング及びウェット・エッチングの結果として形成されたメサが実質的に垂直な側壁を有し、さらに約3.0μm以下の寸法を有するGaInP/GaAs構造が形成され得る工程を含む方法を開示する。

請求項（抜粋）：

GaAs及びGaInPの連続層の一部を除去する方法であり、前記GaAs層上で反応性イオン・エッチングを行い、前記GaInP層上でウェット・エッチングを行い、前記反応性イオン・エッチング及び前記ウェット・エッチングの結果として形成されたメサが実質的に垂直な側壁を有し、さらに約3.0μm以下の寸法を有するGaInP/GaAs構造が形成され得る工程を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-098937