特許
J-GLOBAL ID：200903076096322994
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282945
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125252
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置において、ウェハ16を均一に加熱できるようにし、ウェハ16とサセプタ2とのコンタクトを良好にし安定したプラズマを発生させる。【解決手段】ウェハ16が載置させる面に遠赤外線が通過する複数の穴が一様に形成される金網状サセプタ2と離間して遠赤外線を発する遠赤外線ヒータブロック1を配置し、熱膨張によるストレスを伸縮性に富む金網部で吸収する。これにより、サセプタの変形を無くしコンタクトの劣化を防いでいる。
請求項（抜粋）：
上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加しプラズマを発生し該下部電極の加熱される被処理基板の表面を処理するプラズマCVD装置において、前記被処理基板を載置する面に一様に複数の穴が形成される面部材とこの面部材を取囲む枠部材とを有する前記下部電極のサセプタと、遠赤外線を主に表面より放射し前記面部材を介して前記被処理基板を加熱するとともに前記枠部材より伸びる脚部材と接触し前記面部材と離間して配置される遠赤外線ヒータブロックとを備えることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/46
, H01L 21/205
C23C 16/50
, C23C 16/46
, H01L 21/205
