特許
J-GLOBAL ID：200903076105394219
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086625
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体層を複数層積層した太陽電池であって、前記複数層の化合物半導体層の外側のいずれかの部分の層に低融点ガラス層2,7を形成することにより、火事等の場合でもCdやSe等の重金属が空気中に飛散しない安全性の高い太陽電池とする。【構成】 ソーダ石灰ガラスの基板1の上に低融点ガラス2をコーティングし、その上にZnO等の透明導電膜3をスパッタ法で形成した。この上にn型窓層としてCdS膜4を蒸着した。さらにその上に光吸収層であるCuInSe2 膜5を形成し、この上に裏面電極層6としてAu膜を形成した。裏面電極膜6上に前記低融点ガラス2と同様な成膜条件で低融点ガラス膜7を10μmスパッタ蒸着し、これを金属フレームに収納する。低融点ガラスはPbO-B2 O3 -SiO2 -Al2 O3 系を用いた。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層を複数層積層した太陽電池であって、前記複数層の化合物半導体層の外側のいずれかの部分の層に低融点ガラス層を形成したことを特徴とする太陽電池。
引用特許：
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