半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-301847
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221174
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】配線接続用の開口部を形成するためのマスク枚数の増加や、工程数の増加や、開口部の占める面積の増大を抑制した配線接続構造を実現し、これにより、半導体装置の集積度を高める。【構成】少なくとも1層の導電層107を貫通して導電性領域105に達する共通の開口部110と、前記開口部110内に堆積された他の導電層109とを有し、前記導電層107と前記導電性領域105とを前記共通の開口部110内で電気的に接続する半導体装置。また、予め複数層の導電性領域105,107を形成した後、該導電性領域に開口する開口部110を形成し、開口部110内に他の導電性領域109を堆積して各導電性領域を共通の開口部内で電気的に接続する製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の導電層と第2の導電層を絶縁層を介して積層し、前記第1および第2の導電層を導通状態にして構成する半導体装置において、前記第2の導電層の一部および前記絶縁層の一部を除去して得られる凹部に導電部材を配して前記第1および第2の導電層を導電状態としたことを特徴とする半導体装置。

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