表面処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066094
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261620
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【構成】プラズマを用いる表面処理装置で、プラズマ中のイオンを加速するためのバイアス電源を間欠的にオンオフ制御してかつエッチングに用いるハロゲンガスに酸素などの堆積性ガスを混合した,【効果】ハロゲンガスはエッチングを進行させ、堆積性ガスはエッチングを阻害する働きがある。バイアス電源で加速されたイオンはエッチング反応を促進する。堆積性ガスは、絶縁物のようなハロゲンとの反応性が低い物質に対してほど反応を阻害する効果が顕著になるので、堆積性ガスの混合により、半導体と絶縁物のエッチング速度の比、すなわち選択比が大きくなる。ここで、バイアス電源にオフサイクルを設けると、バイアス電源がオフすなわち加速イオンが試料表面に入射しない期間では堆積性ガスの働きのみが顕著になり、選択比はバイアス電源を連続にした場合と比べてさらに高くなる。

請求項（抜粋）：

真空容器とその中にプラズマを発生させる手段および該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と試料にバイアスを印加するための電源からなる表面処理装置において、該真空容器中にハロゲンガスと堆積性ガスの混合ガスを導入しかつ、試料台に印加するバイアスを間欠的にオンとオフに制御したことを特徴とする表面処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/302 A , C23F 4/00 E , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

エッチング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296039 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055409 出願人：株式会社日立製作所
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-263350 出願人：株式会社日立製作所

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