特許
J-GLOBAL ID:200903076107999681

低電圧トリガ式ESD保護回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-192239
公開番号(公開出願番号):特開平6-077405
出願日: 1991年07月31日
公開日(公表日): 1994年03月18日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 一般的に集積回路に関し、特に、このような集積回路用の静電放電(ESD)を防止する方法および装置に関する。【構成】 静電放電保護回路は、高レベルの電圧ストレスに耐える一次保護スイッチ14を有し、このスイッチは低い電圧のトリガ素子13aによってトリガされる。この一次保護スイッチ14は、バイポーラ・トランジスタ21または半導体制御整流器を有することができる。このトリガ素子13aは、保護を必要とする出力回路素子と同じタイプの素子であることが好ましい。
請求項(抜粋):
静電放電保護回路において、上記の回路は:低電圧トリガ素子に接続され、この素子によってトリガされる一次保護スイッチによって構成されることを特徴とする回路。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 23/60
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-002153

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