特許
J-GLOBAL ID：200903076109895859
ウェット処理方法及び処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201785
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハをコロイド状シリカを含む溶液を使ってポリッシングした後ウェーハ表面に残留するパーティクルを除去する。【構成】 純水に高電圧を印加することにより、水が負に帯電する(13)。この水はPH的には中性である。この電荷水を基板11上に残留するパーティクル12の除去に使う。パーティクル12は正に帯電しているので負に帯電した水に漬けることで除去できる。
請求項（抜粋）：
電荷を有する中性の水を被処理物の洗浄に用いることを特徴とするウェット処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/10
, H01L 21/3063
