特許
J-GLOBAL ID：200903076112111478
縦型MOS半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030304
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240518
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 オン抵抗の上昇を招くことなく、高耐圧化された縦型MOS半導体装置を及びその製造方法を提供する。【構成】 セル部分の拡散領域6の最外周に該セル部分の拡散領域を取囲むボディ領域13を備え、該最外周のボディ領域は抵抗体20を介して前記セル部分のソース電極9に接続されている。
請求項（抜粋）：
セル部分の拡散領域の最外周に該セル部分の拡散領域を取囲むボディ領域を備え、該最外周のボディ領域は抵抗体を介して前記セル部分のソース電極に接続されていることを特徴とする縦型MOS半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 W
