特許

J-GLOBAL ID：200903076121338825

X線露光用マスクの製造方法

発明者： 射場 義久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166682
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003845
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、応力が低く、且つ、ドライ・エッチング耐性が高く、従って、薄膜化が可能なハード・マスクを実現し、マスク歪みの発生をなくし、高精度のX線露光用マスクが得られようにする。【解決手段】 例えばTaからなるX線吸収体13上にCrとZr(或いはB,Hfなど他の金属)との化合物からなるアモルファスCrZr膜14を形成し、アモルファスCrZr膜14をパターニングしてハード・マスクを形成し、該ハード・マスクの下にあるX線吸収体13を同じパターンに加工する。

請求項（抜粋）：

X線吸収体上にCrと他の金属との化合物からなるアモルファスCr化合物膜を形成する工程と、次いで、該アモルファスCr化合物膜をパターニングしてハード・マスクを形成する工程と、次いで、該ハード・マスクの下にあるX線吸収体を同じパターンに加工する工程とが含まれてなることを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A

Fターム (10件)：

2H095BA10 ,  2H095BB23 ,  2H095BB37 ,  2H095BC01 ,  2H095BC05 ,  2H095BC24 ,  5F046GD01 ,  5F046GD05 ,  5F046GD07 ,  5F046GD15