低温焼成磁器組成物

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340121
公開番号（公開出願番号）：特開平9-175855
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【課題】高周波用の回路基板として要求される低い誘電率、低い誘電正接、及び高い機械的強度等の諸特性が満足されない。【解決手段】SiO2 、Al2 O3 、MgO、ZnO及びB2 O3 から成るガラスを55〜99.9重量%と、フォルステライトを全量中0.1〜45重量%の割合となるように混合した混合粉末を成形後、非酸化性雰囲気中、800〜1000°Cの温度で焼成し、ガーナイト結晶相1と、コーディエライト結晶相2と、フォルステライト結晶相3と、エンスタタイト結晶相4、及びガラス相5を含む低温焼成磁器組成物。

請求項（抜粋）：

少なくともシリカ(SiO2 )、アルミナ(Al2 O3 )、マグネシア(MgO)、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化硼素(B2 O3 )を含むガラスを55〜99.9重量%と、フォルステライト(Mg2 SiO4 )を0.1〜45重量%の割合で含む混合粉末から成る成形体を、窒素(N2 )、アルゴン(Ar)等の非酸化性雰囲気中、800〜1000°Cの温度で焼成して得られる焼結体が、ガーナイト結晶相と、コーディエライト結晶相と、フォルステライト結晶相と、エンスタタイト結晶相とを含むことを特徴とする低温焼成磁器組成物。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-050345
特開昭63-050345

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