特許

J-GLOBAL ID：200903076130588168

半導体装置

発明者： 平瀬 順司 ,  赤松 寛範
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027735
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 複数のMISトランジスタにより構成されたリング型発振器において、発振周波数の高速安定化を図る。【構成】 複数のMISトランジスタにより構成されたリング型発振器において、複数のMISトランジスタが形成された半導体基板21の各MISトランジスタの基板部21aに、バイアス電圧印加用端子27から抵抗体4を介して基板バイアス発生回路20の出力Vbbが印加されるよう構成し、前記複数のMISトランジスタを、作動時と非作動時で基板バイアスが自動的に変化する基板バイアス自己調整型MISトランジスタにする。

請求項（抜粋）：

複数のMIS(metal-insulator-semiconductor)トランジスタによりリング型発振器を構成してなる半導体装置において、前記複数のMISトランジスタは、その基板部へ抵抗体を介してバイアスが印加されて、作動時と非作動時とでその基板バイアスが自己調整的に変化する基板バイアス自己調整型MISトランジスタであることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H03K 3/354 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H03K 19/0948 ,  H03L 7/099

FI (5件)：

H03K 3/354 B ,  H01L 27/04 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H03K 19/094 B ,  H03L 7/08 F