特許
J-GLOBAL ID：200903076132804666
フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108271
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284806
出願日： 1997年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】活性層の垂直方向に加えて、活性層面内全方向にも自然放出光を制御する構造を備えて低閾値で低消費電力の動作を可能とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器半導体レーザである。【解決手段】フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザは、化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザである。活性層を含む半導体層11に二次元屈折率周期構造21、22を備えることで、活性層を含む半導体層11面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯が形成されている。活性層を含む半導体層11を挟んで一対の多層干渉膜12、13からなる反射鏡が形成されていて、光共振器が活性層の垂直方向に形成されている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザであって、活性層を含む半導体層に二次元屈折率周期構造を備えていることで、活性層を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャップ)が形成されていて、且つ、該活性層を含む半導体層を挟んで一対の多層干渉膜からなる反射鏡が向かい合わさって形成されていることで、光共振器が該活性層の垂直方向に形成されていることを特徴とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
