特許

J-GLOBAL ID：200903076135108571

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106557
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209122
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNを再現性良く得る成長方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長法により、一般式InαGa1-αN(但し、αは0<α<0.5の範囲である。)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、成長温度(°C)をX軸、成長速度(オングストローム/分)をY軸として、添付図1のa(650,1)、b(650,5)、c(900,60)、d(900,1)の各座標で囲まれた領域内の条件で、窒化ガリウムの上に成長させる。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法により、一般式InαGa1-αN(但し、αは0<α<0.5の範囲である。)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、成長温度(°C)をX軸、成長速度(オングストローム/分)をY軸として、添付図1のa(650,1)、b(650,5)、c(900,60)、d(900,1)の各座標で囲まれた領域内の条件で、窒化ガリウムの上に成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205