特許

J-GLOBAL ID：200903076139244534

イオン注入装置

発明者： 坂本 久美 ,  鷹屋 憲志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283976
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ放電によりイオンを生成するイオン源を備え、引出電極によるメタル系イオンの発生を防止してメタル系イオンが半導体基板に混入するのを防ぎ、メタル汚染の低減を図ることができるイオン注入装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバ内に導入したガスGをプラズマ放電によりイオン化してイオンを生成するイオン源12と、イオン源12からイオンを引き出す引出電極13と、引き出されたイオンから注入元素を分離する質量分析器14と、注入元素を加速して半導体基板17に注入する注入室18とを有するイオン注入装置において、真空チャンバ11及び引出電極13(33)を、非金属材により形成した。

請求項（抜粋）：

真空容器内に導入したガスをプラズマ放電によりイオン化してイオンを生成するイオン源と、該イオン源からイオンを引き出す引出電極と、引き出されたイオンから注入元素を分離する質量分析器と、前記注入元素を加速して半導体基板に注入する注入室とを有するイオン注入装置において、前記真空容器及び前記引出電極は、非金属材により形成されることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (6件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/265 F