特許
J-GLOBAL ID：200903076144997176
厚膜/薄膜混成基板とその研磨加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077361
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283536
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 厚膜多層配線基板の表裏両面を、該基板の厚さのばらつきに関係なく加工過不足の発生を防止し、研磨加工中に発生する基板材加工面とスルーホール加工面との段差を低減して高精度に研磨加工し、薄膜配線形成時における断線の発生を防止することができる厚膜/薄膜混成基板とその研磨加工方法の提供。【構成】ポリッシング加工において、平均砥粒径80nm以下のコロイダルシリカを用い、研磨圧力を所定の圧力に制御することで、厚膜多層基板をポリッシング加工した場合に生じる、基板材加工面とスルーホール加工面との段差を-0.5≦d≦+0.5の範囲とした厚膜多層基板。両面研磨加工において、ダミー材を複数個用い、被削材を単数個加工することにより、厚膜多層基板加工時に生じる加工過剰と加工不足を防止し、基板の表面粗さ,平面度,平行度を向上する加工方法。
請求項（抜粋）：
セラミックス等の脆性材料からなる基板材を多数層重ねて焼成し、その上下両面に多数のスルーホールを有するスルーホール層を形成した厚膜多層配線基板と、該厚膜多層配線基板の表面に形成した薄膜層とからなる厚膜/薄膜混成基板において、前記薄膜層が形成される厚膜多層配線基板面におけるスルーホールの表面が、該厚膜多層配線基板面における基板材の表面と同一ないし凸の微小量の段差に形成されてなることを特徴とする厚膜/薄膜混成基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, B24B 37/04
, H05K 3/26
