半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317376
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】サイドウオールによるトランジスタ特性や回路動作の劣化の問題を解決出来、且つ当該サイドウオールによるコンタクトホール部のコンタクト抵抗の増大の問題を解決出来ると共に、半導体装置の一層の高集積化や大容量化を可能とする事が出来る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線9、10の両側壁部に被着した二重壁状側壁構造のサイドウオール20、21、22、23のうち、内壁シリコン酸化膜12、13、14、15の、当該配線9、10の当該側壁部に被着した壁状部分の厚みXを、不純物拡散層11を形成した半導体基板部分の表面と外壁シリコン窒化膜16、17、18、19の下端部との間に延展された下端曲折部分の厚みYよりも小とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部分に形成された絶縁膜上に導電層とシリコン窒化膜キャップ層とが積層した積層構造を有し、且つ当該半導体基板上で所定のパターンに配列形成された複数の配線と;当該半導体基板の素子領域において、当該配線間の当該半導体基板の表層部分に形成された不純物拡散層と;当該配線の両側壁部に被着された内壁シリコン酸化膜と、当該内壁シリコン酸化膜の表面に被着された外壁シリコン窒化膜との二重壁状側壁構造を有し、且つ当該内壁シリコン酸化膜の下端部が曲折して、当該不純物拡散層が形成された半導体基板部分の表面と当該外壁シリコン窒化膜の下端部との間に延展された構造を有するサイドウオールとから成る半導体装置であって、当該内壁シリコン酸化膜の当該壁状部分の厚みXが当該下端曲折部分の厚みYよりも小とされている事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/90 D , H01L 21/90 M

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