特許
J-GLOBAL ID：200903076155828872
化合物半導体の結晶成長法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068176
公開番号（公開出願番号）：特開平7-247196
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 制御性よく、かつ、均一性よく所望の正孔濃度を得られるようにすることを目的とする。【構成】 トリメチルガリウムガスとトリメチルアルシンガスとを交互に供給することで、曲線1で示すようなV/III比と正孔濃度との関係を示す結晶成長を行う。
請求項（抜粋）：
V族元素を含む第1のガスとIII族元素を含む第2のガスとを供給ガスとし、前記第1のガスもしくは第2のガスが有する炭素を不純物として添加した状態の前記V族元素とIII族元素とからなる化合物半導体を、基板上に気相成長により形成する化合物半導体の結晶成長法において、前記第1のガスと第2のガスとを交互に供給することを特徴とする化合物半導体の結晶成長法。
IPC (3件)：
C30B 25/16
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
