特許
J-GLOBAL ID:200903076160352720

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早瀬 憲一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-018153
公開番号(公開出願番号):特開平6-204370
出願日: 1993年01月06日
公開日(公表日): 1994年07月22日
要約:
【要約】【目的】 放熱プレートを有する高出力トランジスタの放熱を効率よく行う。【構成】 中空加工したAlヒートシンク7中に冷却液8を循環させ、はんだ材5まで達した熱エネルギーを吸収することで強制的に冷却する。【効果】 はんだ材に印加される熱的ストレスを緩和することで、はんだ材の熱疲労寿命を長くすることができる。
請求項(抜粋):
発熱性の半導体素子と、はんだ材を介して該素子を搭載し、これを冷却する放熱プレートとを備えた半導体装置において、上記放熱プレートはその内部が中空状態となっており、内部に冷却液を循環させることにより上記半導体素子の冷却を行うものであることを特徴とする半導体装置。

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