特許

J-GLOBAL ID：200903076162408757

電界電子放出素子およびその作製方法

発明者： 田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104466
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270227
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 FE型電子放出素子の動作駆動時に、安定で、十分な電子放出量のある高効率、高性能とすることを課題とする。【解決手段】 電界電子放出素子において、エミッタ部とアノード部を有し且つエミッタ部に少なくともダイヤモンドとフラーレンを有していることを特徴とする。また、前記フラーレンがC60もしくはC70であることを特徴とする。ダイヤモンド、フラーレン、グラファイトの順に接合されていることを特徴とする。また、上記フラーレンが重合していることを特徴とする。さらに、ダイヤモンドが薄膜であることを特徴とする。加えて、ダイヤモンドが微粒子であることを特徴とする。上記電子放出素子を作製する際、少なくともフラーレンを1GPa以上の圧力で処理することを特徴とする。また、上記電子放出素子を作製する行程において、エミッターの表面をプラズマで処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電界電子放出素子においてエミッタ部とアノード部を有し、且つ前記エミッタ部に少なくともダイヤモンドとフラーレンを有していることを特徴とする電界電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/30 ,  G09G 3/22 ,  H01J 9/02 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01J 1/30 A ,  G09G 3/22 ,  H01J 9/02 B ,  H01L 49/00