特許

J-GLOBAL ID：200903076165201657

薄膜トランジスタマトリクス基板と液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 市村 照彦 ,  那須 安宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034865
公開番号（公開出願番号）：特開平8-234234
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法に関し、ドレインバスラインと島状の補助容量電極の短絡による欠陥を減少させ、製造歩留りを向上する手段を提供する。【構成】 透明基板1の上に、ドレインバスライン70 とゲートバスライン22と、これらのバスラインの交差部分に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのソース電極71 に接続された画素電極10を具える薄膜トランジスタマトリクス基板を製造する際、シリサイド層からなる補助容量電極43 ,8の上に酸素を透過させず酸素を含まない絶縁層9を形成し、この絶縁層9の上にコンタクトホールを介してITO等の透明導電体被膜からなる画素電極10を形成する。シリサイド層と絶縁被膜の間に、シリサイド層よりもエッチングレートが低いコンタクト用Cr層73 を形成し、これをエッチングストッパーとしてコンタクトホールを形成する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に、少なくとも、マトリクス状に配置された複数のドレインバスラインと複数のゲートバスラインと、該バスラインの交差部毎に設けた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電極に接続された画素電極を具える薄膜トランジスタマトリクス基板において、補助容量電極がシリサイド層によって形成され、該シリサイド層が酸素ガスを透過させず酸素ガスを含まない絶縁被膜によって被覆され、該絶縁被膜の上にコンタクトホールを介して該シリサイド層に電気的に接続されたITO等の透明導電体被膜からなる画素電極が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 A ,  H01L 29/78 612 Z