特許

J-GLOBAL ID：200903076184884781

半導体装置

発明者： 北田 瑞枝 ,  九里 伸治
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284604
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】逆方向漏れ電流を小さくし、順方向特性を改善したショットキ-ダイオード構造を提供する。【解決手段】カソード9に接続したN型基板I上にN型低濃度層2を成膜した表面に間隔Wmで溝4を形成し多結晶SiのP領域5を充填した両上面6・7にアノード8の構造で下式1・2を満足させるものをショットキ接合する。

請求項（抜粋）：

一導電型の第1半導体層と、該第1半導体層より低不純物濃度の一導電型の第2半導体層とを積層して成る半導体基板と、該第2半導体層表面に所定の幅と間隔を持って形成されたトレンチ部と、該トレンチ部に充填形成された他の導電型の半導体層と、該第2半導体層表面と該半導体層表面に連接して形成されたショットキー金属電極と、該第1半導体層表面に形成されたオーミック金属電極を備えた半導体装置において、該半導体層の幅をWt、不純物濃度をNa、該第2半導体層の不純物濃度をNd、隣接する該半導体層間の該第2半導体層の間隔をWm、該Ndに対する降伏電圧をBVAKとし、該Wt、Na、Nd、Wm及びBVAKが下記の(1)式及び(2)式を満足する関係に設定したことを特徴とする半導体装置。【数1】【数2】但し、BVAK=60×(Eg/1.1)1.5×(Nd/1016)-3/4Eg該半導体材料のエネルギーバンドギャップ値、ε0真空の誘電率、εS該半導体材料の比誘電率、q素電荷量

Fターム (14件)：

4M104AA01 ,  4M104BB00 ,  4M104BB01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-137368
  
• 単極性整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210866   出願人：日産自動車株式会社
• 定電圧ショットキーダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-270925   出願人：株式会社日立製作所
• ショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051591   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社