特許

J-GLOBAL ID：200903076185577459

プラズマ処理装置

発明者： 竹井 日出夫 ,  浮島 禎之 ,  池田 智 ,  崎尾 進 ,  石橋 暁
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353395
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186531
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】処理速度が大きく、均一性の高いプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置4では、複数のμ波アンテナ711〜714を処理対象物8に対向して配置し、μ波アンテナ711〜714の近くの第一の導入口751〜754からプラズマ用ガスを導入し、μ波アンテナ711〜714と処理対象物8の間の位置の第二の導入口761〜765から反応性ガスを導入する。処理対象物8表面を効率よくプラズマ処理することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空槽と、 前記真空槽内に位置する複数のμ波アンテナと、 前記真空槽内に第一のガスを導入する第一の導入口とを有し、 前記各μ波アンテナからμ波を放射し、前記第一のガスのプラズマを生成し、前記各μ波アンテナと対向する処理位置に配置された成膜対象物を処理するプラズマ処理であって、 前記第一のガスとは異なる第二のガスを導入する第二の導入口が、前記第一の導入口と前記処理位置の間の位置に配置されたプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/302 101D

Fターム (33件)：

4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA11 ,  5F004AA01 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE14 ,  5F045EF08 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH06 ,  5F045EJ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマ発生装置およびその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013962   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-025574
  

審査官引用 (2件)

• プラズマ発生装置およびその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013962   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-025574