特許

J-GLOBAL ID：200903076190799940

LDD型半導体装置とその製造方法

発明者： 種田 敏彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036984
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 微細化に好都合で、隣接するMOSトランジスタ間のパンチスルー耐圧も低下しないLDD構造を得る。【構成】 LDD構造のNMOSトランジスタのソース・ドレインの高濃度拡散領域6のフィールド酸化膜側の端部6aは砒素を含みリンを含んでいないため、フィールド酸化膜方向の横方向拡散が抑えられる。フィールド酸化膜4の周辺部がスペーサ14を形成するエッチバックによる膜減りを起こしていないため、高濃度拡散領域6のフィールド酸化膜側の位置は設計値通りに一定しており、隣接するMOSトランジスタの拡散領域間の距離Lを確保することができる。

請求項（抜粋）：

フィールド酸化膜で囲まれた活性領域にLDD構造のMOSトランジスタが形成されており、フィールド酸化膜の周辺部がエッチングされておらず、MOSトランジスタの拡散領域のフィールド酸化膜側の端部には低濃度拡散領域形成用の不純物が導入されていない半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/08 321 E