特許
J-GLOBAL ID：200903076195956814

カーボンナノチューブの成長方法

発明者：
大野 雄高

大野 雄高 について

, 
水谷 孝

水谷 孝 について


出願人/特許権者：
名古屋大学長

名古屋大学長 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084173
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277033
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】【課題】 高品質なカーボンナノチューブを所望の位置に成長する。【解決手段】 2種以上の異なる触媒金属層が積層された多層触媒金属パターンを、CVD法に供する前に加熱処理する。
請求項（抜粋）：
基板上に、2種以上の異なる触媒金属層が積層された多層触媒金属パターンを形成する工程、及び該多層触媒金属パターンを加熱処理する工程、及び加熱処理された該多層触媒金属パターン上に、CVD法によりカーボンナノチューブを成長させる工程を具備することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101 ,  B01J 23/89 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26
FI (4件)：
C01B 31/02 101 F ,  B01J 23/89 M ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26
Fターム (34件)：
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC67A ,  4G069BC67B ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CB81 ,  4G069EA11 ,  4G069EC28 ,  4G069EC29 ,  4G069EE06 ,  4G069FA01 ,  4G069FB29 ,  4G069FC07 ,  4G146AA11 ,  4G146AB08 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC43 ,  4G146BC48 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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