特許
J-GLOBAL ID:200903076219662930

ダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-197886
公開番号(公開出願番号):特開平11-026887
出願日: 1997年07月07日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【目的】 放熱性に優れ半導体レーザチップに熱応力を生じないダイヤモンド製のヒートシンクを備えた高出力で安定して発振する半導体レーザを与えること。【構成】 板状の基体の上に膜厚3μm〜9μmの気相合成ダイヤモンド層を形成し表面をメタライズ層で覆い、その上に2μm〜8μmの厚みのロウ材によって半導体レーザチップを固定する。
請求項(抜粋):
板状の基体と、基体の表面に形成された膜厚が3μm〜9μmの気相合成ダイヤモンド層と、少なくともダイヤモンド層の表面の一部を覆うように設けられるメタライズ層と、ダイヤモンド層、メタライズ層の上に厚み2μm〜8μmのロウ材によって固定された半導体レーザチップとよりなることを特徴とするダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ。
IPC (4件):
H01S 3/18 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/043
FI (4件):
H01S 3/18 ,  C30B 29/04 X ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/04 S

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