特許
J-GLOBAL ID：200903076236812253
ウェハ温度調節装置およびこれを用いた半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139008
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 レジスト塗布工程と現像工程において、ウェハの温度を調節できるようして、レジスト塗布時のレジスト塗布膜の均一性と現像後のレジスト線幅の均一性を向上させることができるようにする。【構成】 ウェハ11の温度は、ウエハ11の裏面側に配設されたウェハ温度調節用ヒータ31とこのウェハ温度調節用ヒータ31の温度を調節するヒータ温度調節装置32とによって所定の温度に調節される。コントローラ40は、ウェハ11、ウェハチャック12、ノズル24から滴下される薬液およびウェハカップ21内の雰囲気の各温度が互いに等しい所定温度になるように、ヒータ温度調節装置32、冷却水温度調節装置20、薬液温調用水温度調節装置27および空気調和機37を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体製造工程におけるレジスト塗布と現像の少なくとも一方の工程を行う半導体製造装置において、半導体ウェハを裏面から吸着保持して回転させるためのウェハチャックによって保持された状態における半導体ウェハの裏面に対向するように、前記ウェハチャックの下側に配設され、発熱または吸熱を行う熱源部と、この熱源部の温度を制御する熱源部温度制御手段とを具備することを特徴とするウェハ温度調節装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16 502
H01L 21/30 569 C
, H01L 21/30 564 C
