特許

J-GLOBAL ID：200903076249121829

n型窒化物半導体の電極

発明者： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224913
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069623
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【目的】 第一にn型窒化物半導体と好ましいオーミック接触が得られ、第二にワイヤーと強固に接着できる信頼性の高いn電極を提供する。【構成】 n型窒化物半導体にオーミック接触が得られた電極であって、その電極がチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)若しくはタングステン(W)より選択された少なくとも一種よりなる第一の電極材料と、シリコン(Si)若しくはゲルマニウム(Ge)より選択された少なくとも一種よりなる第二の電極材料とを含み、好ましくは第三の電極材料に金(Au)を含む。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体にオーミック接触が得られた電極であって、その電極がチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)若しくはタングステン(W)より選択された少なくとも一種よりなる第一の電極材料と、シリコン(Si)若しくはゲルマニウム(Ge)より選択された少なくとも一種よりなる第二の電極材料とを含むことを特徴とするn型窒化物半導体の電極。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (7件)：

H01L 29/46 H ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 A ,  H01L 29/46 G ,  H01L 31/10 H