特許

J-GLOBAL ID：200903076251972429

カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法、薄膜太陽電池及び発光装置

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198598
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045248
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】成分元素が化学量論比となる組成を有しかつpn伝導形及びキャリア密度を制御することが可能なカルコパイライト薄膜の作製法を提供すること。【構成】 基板30上にカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、蒸着源2、3、4からのカルコパイライト薄膜の主元素と同時に蒸着源5からII族元素を蒸着し、n形カルコパイライト構造半導体薄膜を作製する。また、基板30上にカルコパイライト構造半導体薄膜を成膜した後、基板30をヒータ6により加熱して、蒸着源5からII族元素を蒸発させカルコパイライト構造半導体薄膜中にII族元素を拡散させる。

請求項（抜粋）：

I族、III族、VI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積する際に、II族元素あるいは前記元素を含む化合物を蒸着することを特徴とするカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C30B 23/02 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-056171
  
• 特開昭52-146582
  
• 特開昭50-061182
  
• 特開昭53-084582