特許
J-GLOBAL ID：200903076253588634
光電子素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-073439
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236237
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】Siベース高効率太陽電池の効率の限界は28%程度であり、市販レベルのセルでは15%程度である。太陽光発電の普及のためにはシンプルなプロセスでかつこれまでの発電効率を大きく超える太陽電池が必要である。これまでの効率限界を破るためにはバンドギャップの異なる半導体材料と多接合型太陽電池とする必要がある。しかし、これまでSi上にバンドギャップの異なる結晶半導体材料を成長させることは困難であった。【解決手段】BPをSi上にエピタキシャル成長させてヘテロ接合型太陽電池構造を形成する。さらにBP上へバンドギャップの異なる太陽電池構造を形成し、多接合型太陽電池を構成する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
pまたはn形結晶Siとn形またはp形に導電性を制御されたBP層の組み合わせからなる多層構造
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051AA02
, 5F051AA08
, 5F051CB12
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051GA04
, 5F051HA03
