特許
J-GLOBAL ID：200903076257747036
パワ-半導体パッケ-ジ、ワイヤ接続方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高崎 芳紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209609
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078459
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 150°C-1000h以上の加速寿命試験に耐え、低価格で組立て可能なパワ-半導体パッケ-ジを実現する。【構成】 リ-ド端子材にCu-(0.01〜0.2%)Zr合金またはCu-(0.01〜0.06%)Cr合金、ワイヤ材にAl-Si-Niを用い、かつリ-ド側のワイヤ接合点を2点とする。【効果】 上記の組成を有する合金を用いることで、ワイヤ/リ-ド接合部の高温劣化を小さくして長寿命化でき、低価格で高温信頼性の高いパッケ-ジを提供できる。
請求項（抜粋）：
リ-ドフレ-ムにICチップを搭載し、チップの電極端子とリ-ドフレ-ムの接続端子をワイヤボンディングによって結線し、全体あるいはチップのある片側を樹脂によってモ-ルドして構成されたパワ-半導体パッケ-ジにおいて、上記ワイヤはAlを主体としたAl-SiーNiまたはAl-Ni合金であり、かつ上記リ-ドフレームの接続端子はCuを主成分としたCu-ZrまたはCu-Cr合金で構成されたことを特徴とするパワ-半導体パッケ-ジ。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 23/48
