特許

J-GLOBAL ID：200903076259050059

半導体装置の製造装置

発明者： 岩渕 隆之 ,  寺田 俊幸 ,  松永 徳彦 ,  吉武 春二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064919
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】ゲートバルブの内面に堆積物が付着し、この堆積物によりダストが発生し、歩留まりの低下を招いていた。【解決手段】フランジ13は導入口17、通路18、第1の透孔19を有し、ゲートバルブ16は第2、第3の透孔20、22、空所21を有している。ゲートバルブ16がフランジ13に圧接された場合、第1の透孔19と第2の透孔20は連通され、導入口17から導入されたガスは、通路18、第1の透孔19、第2の透孔20、空所21、第3の透孔22、開口部12を通って反応室10内に導かれる。このため、ゲートバルブ16の表面から反応室10内に向かってガスが流出され、このガスの流れによってゲートバルブ16の表面にエアカーテンが形成される。

請求項（抜粋）：

処理対象としての半導体ウエハを出入するための開口部と、この開口部の周囲に設けられたフランジとを有する反応室と、表面が前記フランジの表面に圧接され、前記開口部を閉塞可能なゲートバルブと、前記ゲートバルブの前記表面に前記開口部に対向して設けられた複数の吹出し口と、前記フランジ及び前記ゲートバルブ内に設けられ、前記ゲートバルブが前記フランジに圧接された状態において互いに連通され、前記フランジ側から導入されたガスを前記ゲートバルブの前記複数の吹出し口に導き、これら吹出し口から前記開口部を通して前記反応室内にガスを導入させる通路とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/22 501

FI (2件)：

H01L 21/324 D ,  H01L 21/22 501 S