特許
J-GLOBAL ID：200903076259513334
シリコンの精製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小池 隆彌
, 木下 雅晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073523
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255417
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】純度7N程度まで金属シリコンを精製して、太陽電池用のシリコンを安価に提供する。そのために、大掛かりな精製設備を不要にし、かつシリコンやスラグを溶解、凝固を繰り返すことによるエネルギーロスを少なくする。特にシリコンに添加した精製添加剤の除去工程を不要にする。【解決手段】シリコンの精製のために、まず不純物を含むシリコンと、不純物精製用の添加剤を加熱して、シリコンを溶融した状態にする。そして添加剤が溶融シリコンと混合するように攪拌しながら、不揮発性の不純物量を低減する工程、揮発性の不純物量を低減する工程、さらに、溶融シリコンに析出用基体を浸漬し、該析出用基体の表面にシリコンを晶出させて、不純物量を低減する工程を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不純物を含むシリコンと、不純物精製用の添加剤を加熱して、シリコンを溶融した状態において、該添加剤が溶融シリコンと混合するように攪拌しながら、不揮発性の不純物量を低減した後に、
揮発性の不純物量を低減することを特徴とするシリコンの精製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072MM21
, 4G072MM38
, 4G072TT19
, 4G072UU02
, 5F051AA03
, 5F051CB05
, 5F051CB20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051GA02
, 5F051GA15
