特許
J-GLOBAL ID：200903076266902265
電子放出素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281462
公開番号（公開出願番号）：特開平7-134940
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 エミッタ基体の表面にエミッタ基体材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性被膜を有する電子放出素子化の製造方法を提供する。【構成】 表面に被膜のないエミッタ基体9を作製した後に、エミッタ基体が設けられている表面に炭化、窒化、ホウ化等の処理をして、金属よりなるエミッタ基体の表面に、炭化、窒化、ホウ化物等の被膜11を設ける。
請求項（抜粋）：
エミッタ基体の表面が、前記エミッタ基体を構成する金属材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性材料で被覆されている電子放出素子の製造方法において、前記エミッタ基体の表面に炭化、窒化、ホウ化のいずれか1種または2種以上の処理をしてエミッタ基体材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性被膜を前記エミッタ基体の表面に形成する電子放出素子の製造方法。
引用特許：
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