特許

J-GLOBAL ID：200903076267523136

半導体集積回路の形状シミユレーシヨン方法

発明者： 安部 哲哉 ,  田沢 聰 ,  齋藤 和之 ,  松尾 誠太郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034770
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006868
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 LSIの加工プロセス実施後の断面形状の予測を、解析断面に垂直な方向の表面形状の影響を考慮に入れ、かつ、短い計算時間で実施することができる技術を提供することにある。【構成】 表面上の各移動計算点に対して、その点から上空を見上げた際に両側の壁の遮蔽を受けずに上空が見渡せる範囲の見込み角に応じて、適当な形状の穴のあいた遮蔽板を仮想的に定義し、その遮蔽板による3次元的な入射粒子の遮蔽効果を考慮にいれて、その点の移動を計算する。【効果】 解析断面に垂直な方向の表面形状の影響を考慮に入れた半導体集積回路の形状シミュレーションを、容易に実施することができる。また、大幅な計算時間を短縮することができる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の表面上で、デポジションまたはエッチング後の断面形状を予測する半導体集積回路の形状シミュレーション方法において、表面上の各移動計算点に対して、その点から上空を見上げた際に両側の壁の遮蔽を受けずに上空が見渡せる範囲の見込み角に応じて、適当な形状の穴のあいた遮蔽板を仮想的に定義し、その遮蔽板による3次元的な入射粒子の遮蔽効果を考慮にいれて、その点の移動を計算することを特徴とする半導体集積回路の形状シミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  G06F 15/60 450 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-027380
  
• 特開昭52-138222