プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001039
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191059
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【構成】プラズマ源と、処理チャンバ1内に被処理物を保持して加熱あるいは冷却するステージ7とを備えたプラズマ処理装置において、ステージ7を複数のブロック8に分け、被処理物からステージ7へ伝わる熱量をブロック8毎に別個に制御することにより、被処理物の温度分布を自在に制御可能とし、プラズマ処理中には、被処理物の温度が均一になるように制御する。【効果】被処理物の温度分布を自在に制御することが可能となり、半導体製造プロセスでは、より微細で高性能な半導体が製造できる。また、被処理物上に落下するダストを低減し、半導体素子の歩留まりを向上することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ源と、処理チャンバ内に被処理物を保持して加熱あるいは冷却するステージとを備え、前記ステージを複数のブロックに分け、前記各ブロックの温度をブロック毎に別個に設定することにより、前記被処理物の温度分布を設定可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/3065 , C08J 7/00 306 , C23F 4/00 , C30B 25/12 , C30B 25/16 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/46

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