特許
J-GLOBAL ID：200903076274111684
半導体装置用リードフレーム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161498
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008341
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、ワイヤーボンディング性および半田付け性に優れ、さらに耐食性および封止樹脂との密着性に優れた半導体装置用リードフレームを提供することにある。【解決手段】 本発明の半導体装置用リードフレームは、インナーリード及びアウターリードに形成したメッキ層の最表層を、Au-Ag合金フラッシュメッキ層としている。また、インナーリード及びアウターリードに、直接または下地メッキ層を介して形成したPdメッキ層またはPd合金メッキ層の上層に、Au-Ag合金フラッシュメッキ層を形成している。
請求項（抜粋）：
少なくともインナーリード及びアウターリードに、メッキ層を複数層形成して成る半導体装置用リードフレームにおいて、前記インナーリード及びアウターリードに形成したメッキ層の最表層を、Au-Ag合金フラッシュメッキ層としたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 D
, C23C 28/02
