半導体ウェハの研磨方法および研磨装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061205
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体ウェハの研磨方法、特にデバイス作製工程における配線層の平坦化や張り合わせSOIウェハのSi層の薄膜化等に有用な研磨方法に関し、ウェハ上の各位置における研磨量を制御することにより、配線層の平坦化方法として十分実用可能で、SOIウェハのSi層を更に薄膜化し得る、ウェハ全面の均一な研磨を可能とした研磨方法およびその実施のための装置を提供することを目的とする。【構成】半導体ウェハを保持板上に吸着保持し、研磨治具に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触させ、研磨剤を該研磨布を透過させて該接触部に供給しながら該保持板と該研磨治具の少なくとも一方を回転させることにより該ウェハを研磨する際に、該ウェハの吸着部と該研磨治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間の電圧および/または電流を検出し、得られた検出値に基づいて各研磨位置での研磨速度を制御するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを保持板上に吸着保持し、研磨治具に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触させ、研磨剤を該研磨布を透過させて該接触部に供給しながら該保持板と該研磨治具の少なくとも一方を回転させることにより該ウェハを研磨する際に、該ウェハの吸着部と該研磨治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間の電圧および/または電流を検出し、得られた検出値に基づいて各研磨位置での研磨速度を制御することを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 , B24B 37/04

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭61-008943
特開平2-100321
特開平1-210257

審査官引用 (5件)

特開昭61-008943
特開昭61-008943
特開平2-100321

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