特許

J-GLOBAL ID：200903076278035486

半導体装置

発明者： 蝦名 昭彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309204
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041437
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に使用されるMOSFETの代表的な特性データを電気的な手法により自己整合性よく測定することができる試験回路を備えた半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板の表面に設けられた素子特性評価用の試験回路である。前記試験回路は、ゲート42a,42bの幅が等しく長さの異なる少なくとも2個のMOS型電界効果トランジスタ40a,40bと、前記各ゲート42a,42bの両端に設けられ試験回路を測定する際のプローブが接触する測定電極50,52a,52bとを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に設けられた素子特性評価用の試験回路を含み、前記試験回路は、ゲートの幅が等しく長さの異なる少なくとも2個のMOS型電界効果トランジスタと、前記各ゲートの両端に設けられ、試験回路を測定する際のプローブが接触するゲート用測定電極と、を含むことを特徴とする半導体装置。