特許

J-GLOBAL ID：200903076278094202

マクロ粒子ポリシリコン基板上に製造される電界放出構造

発明者： デイビッド・エー・キャシー ,  ジェイ・ブレット・ロルフソン ,  タイラー・エー・ローレイ ,  トゥラング・ティー・ドーン
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134193
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060795
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明はディスプレイおよび集積回路を含む他のデバイスに有用な電子放出アレーを提供することを目的とする。【構成】 本発明においては、アレーは比較的厚い半導体基板(11)を含み、半導体基板(11)はマクロ粒子基板(11)であり、基板はイオン注入により非晶化、再結晶により再形成、または水素化により不動態化されて粒子境界(1)が覆われ、その後冗長な回路部品(2,4)がその上に製造され、製品歩留りをさらに高めることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの受動回路部品(3,5,6,7)および能動回路部品(2,4)を含む回路がその上に配置されるマクロ粒子(1)を含む集積回路形成用基板。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-170971
  
• 特開平3-225721