特許

J-GLOBAL ID：200903076279856963

半導体装置

発明者： 宇佐美 達矢
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078008
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜にCu拡散バリア性を備える半導体装置を提供する。【解決手段】 複数のCu配線を有する半導体装置において、Cu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12からなるCu配線とがHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)膜3によって分離され、HSQ膜3にはCu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12とを電気的に接続するCuプラグを形成されている。Cuプラグの側壁には、HSQ膜3とCuプラグとの密着性を高めるための密着用メタルであるW(タングステン)膜4が形成されている。

請求項（抜粋）：

複数のCu配線を有する半導体装置において、絶縁膜として少なくとも1部にHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)を用いた材料を使用し、前記絶縁膜中のCu配線からの距離が500Åの部分のCu濃度が1019atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/88 R

Fターム (48件)：

5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28