特許

J-GLOBAL ID：200903076281529295

強誘電体薄膜、その製造方法、半導体不揮発性メモリー素子、強誘電体ゲート型FET素子およびセンサー

発明者： 白川 幸彦 ,  佐藤 美穂子 ,  山本 恭之
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277196
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、かかる課題を解決するため、単一グレイン状態のPb5 Ge3 O11分極軸配向薄膜である強誘電体薄膜、その製造方法、上記強誘電体薄膜を利用した各種半導体デバイス、およびセンサを提供する。【構成】 本発明の強誘電体薄膜は、表面の対称性が3回対称性を持つ基板上に形成された400μm2以下の面積の組成Pb5 Ge3 O11である強誘電体薄膜であって、前記Pb5 Ge3 O11が単一グレインであり、かつ分極軸が基板表面に垂直な方位に配向している。

請求項（抜粋）：

表面の対称性が3回対称性を持つ基板上に形成された400μm2以下の面積のPb5 Ge3 O11の組成の強誘電体薄膜であって、前記Pb5Ge3 O11が単一グレインであり、かつ分極軸が基板表面に垂直な方位に配向している強誘電体薄膜。

IPC (7件)：

C30B 29/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371