特許

J-GLOBAL ID：200903076281774834

半導体装置の製造方法

発明者： 及川 勝夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325485
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160148
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコンに対するp型不純物としての硼素のイオン注入に関し,従来比較的高い加速電圧での注入を可能とするためにBF2 をイオン注入した場合に残留F 原子によってチャネル領域に対するB 原子の拡散が促進される現象を回避可能とすることを目的とする。【構成】 BF2 の代わりに, ほぼ質量数の等しいBCl を用いる。これにより安定かつ高能率のイオン注入を可能とするとともに,F 原子によるB 原子の拡散促進効果を回避できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一表面にゲート酸化膜を介して多結晶シリコン層を形成する工程と,p型不純物の原料として一塩化硼素を該多結晶シリコン層にイオン注入する工程と,前記イオン注入により導入されたp型不純物を活性化するために該多結晶シリコン層を熱処理する工程と,前記熱処理された該多結晶シリコン層をゲート電極にパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 S