特許
J-GLOBAL ID：200903076284796936
電荷結合素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318539
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176722
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 低温においても広い信号電荷量の範囲で転送効率が良く、浮遊拡散領域の飽和信号電荷量が減少しない電荷結合素子を得る。【構成】 電荷転送領域3に、その中央部から電荷転送方向と垂直な方向の端部に向かって徐々に不純物濃度を薄くすると共に、浮遊拡散領域4に接する電荷転送電極の最終電極2の他端部まで延在した不純物層領域17a、17b、17cを設けた。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の表面領域に設けた第2の導電型の不純物層領域でなる電荷転送領域と、この電荷転送領域上に絶縁膜を介して設けられた複数の電荷転送電極と、上記電荷転送領域の終段位置に設けられて上記電荷転送電極の最終電極を介して信号電荷の転送を受ける浮遊拡散領域とを有する電荷結合素子において、上記電荷転送領域に、その中央部から電荷転送方向と垂直な方向の端部に向かって徐々に転送電荷に対するポテンシャルを浅くする第2の導電型の不純物層領域を設けたことを特徴とする電荷結合素子。
IPC (2件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
