特許

J-GLOBAL ID：200903076289097459

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： 入江 庸介 ,  榊間 博 ,  里見 三男 ,  川分 康博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078332
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287821
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 室温状態で微小磁界で動作可能な金属人工格子薄膜の主に厚さ方向の磁気抵抗効果を用い、摺動面を膜に垂直な面にとることで、高密度記録に対応する磁界感度の高いヘッドを実現する。【構成】 素子としては第1の磁性薄膜層11aと金属非磁性薄膜層12と第2の磁性薄膜層11bと反強磁性層13を順次積層した構造を一つの構成要素として、この構成要素間の磁気的結合を弱めるべく設けられた金属非磁性層14を介してこれら構成単位を複数回、望ましくは3回以上積層して成る磁気抵抗効果素子の主に垂直方向の磁気抵抗効果を用い、摺動面を膜面に対して垂直方向にとった磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。【効果】 室温でかつ実用的な微小動作磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子が得られ、高密度記録に対応できる狭トラックを可能にする。

請求項（抜粋）：

電流が与えられ外部から受けた要因によって自身がもつ抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子において、前記素子部の膜面に対して主に垂直方向の磁気抵抗効果を用いるために、少なくとも一対の電極をセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直方向に流れるように上下に配置された構成を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/127 ,  H01L 43/08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067144   出願人：日立マクセル株式会社