特許
J-GLOBAL ID：200903076292177285
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法及び素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067263
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247639
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
(57)【要題】【課題】 フレネルレンズやバイナリオプティックスのように素子が素子中心に対して点対称であるようなデバイスにおいて、素子のパターン形状を斜めエッチングによって点対称に形成する。【解決手段】 基板Wを傾斜して設置することにより、エッチングの方向が基板Wに対して斜めの角度を有すると同時に、素子基板Wと上部電極2の間の距離が基板W内で変化し、この距離に応じてエッチング速度が変化する。更に、この基板Wを素子中心を中心に回転させることによって、エッチング速度分布と形状の分布を素子中心に対して点対称に分布させることができる。
請求項（抜粋）：
反応室と、該反応室を排気するための真空系と、前記反応室にガスを導入するためのガス供給系と、プラズマを形成するための上部電極及び下部電極とを備える反応性イオンドライエッチング装置において、前記電極と被加工基板を任意の角度に設置するための回転機構を有する傾斜ステ-ジを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
