特許
J-GLOBAL ID:200903076292960532

Cr含有電着物上のクロメート処理制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 椎名 彊 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-170772
公開番号(公開出願番号):特開平7-026385
出願日: 1993年07月12日
公開日(公表日): 1995年01月27日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、Cr含有電着物上のクロメート処理制御方法に関するもので、特に電着層中に存在するCrとクロメート皮膜中のCrを層別に分離定量する事を目的とする。【構成】 めっき表面にCrを含有する電着層を有し、その上にクロメート処理を行うのに際し、クロメート液中に添加材としてリン酸、ホウ酸、フッ酸、ケイ酸の1種以上をクロム酸に対して5〜30%の割合で含有させ、蛍光X線で皮膜中のP,F,Siを測定することによってクロメート付着量を制御すること。
請求項(抜粋):
めっき表面にCrを含有する電着層を有し、その上にクロメート処理を行うに際し、クロメート液中に添加材としてリン酸、ホウ酸、フッ酸、ケイ酸の1種以上をクロム酸に対して5〜30%の割合で含有させ、蛍光X線で皮膜中のP,B,F,Siを測定することによってクロメート付着量を制御することを特徴とするCr含有電着物上のクロメート処理制御方法。
IPC (2件):
C23C 22/77 ,  C23C 22/24
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭55-021556
  • 特開昭63-128199

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