特許

J-GLOBAL ID：200903076298740224

半導体装置の製造方法

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204216
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】半導体装置におけるアルミニュウム配線層のマイグレーションによる断線を防止する方法を提供する。【構成】アルミニュウム層またはアルミニュウム合金層を形成後、該アルミニュウム層またはアルミニュウム合金層に少なくとも1回以上の圧縮応力を加えること、および圧縮応力を加えた後に150度から550度程度の温度でアニール処理を施すこと。圧縮応力の印加方法として、サンドブラスト法、ローラー法など機械的圧力を加える方法、圧力釜の中に入れる方法、イオン衝撃法等を用いる。【効果】圧力を印可によりアルムニュウム層またはアルミニュウム合金層は、ウエーハ表面に垂直な縦型柱状組織から緻密な横型板状組織あるいは横型柱状組織に変化し、さらにアニール処理により横型板状組織あるいは横型柱状組織の結晶粒径を大きくでき、マイグレーション耐性が上げることができる。

請求項（抜粋）：

アルミニュウム層またはアルミニュウム合金層を形成後、該アルミニュウム層またはアルミニュウム合金層に少なくとも1回以上の圧縮応力を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。