特許
J-GLOBAL ID：200903076299649611
化合物半導体ウェハの研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349976
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177095
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体ウエハ表面の化学機械的研磨において効率のよい最終段階研磨法の提供。【構成】 分散剤とコロイダルシリカを含む液を用いて最終段階研磨リンスを行なう。
請求項（抜粋）：
化合物半導体ウエハ表面を化学機械的研磨(メカノケミカルポリッシング)により化学的作用の強い条件で研磨する方法において、前記研磨の終了直前に分散剤を添加したコロイダルシリカ懸濁液で前記半導体ウエハ表面を研磨することを特徴とする、化合物半導体ウエハの研磨方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
, C04B 41/91
, C09K 3/14
, H01L 27/12
