特許
J-GLOBAL ID：200903076304375282
磁気抵抗効果ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009478
公開番号（公開出願番号）：特開平9-198626
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 端部領域においてもMR素子が存在する従来のヘッドは、端部領域でも出力変化を生じる。能動領域のみにMR素子が存在するヘッドは、交換結合が十分でない場合、端部領域の強磁性薄膜による出力変化を生じる。【解決手段】 MR層13が中心の能動領域上にのみ存在し、それに隣接して隣接接合部を形成する端部領域に、非磁性金属層17、強磁性薄膜層16及び反強磁性薄膜層14からなる縦方向バイアス層15が形成されている。強磁性薄膜層16の下地に非磁性金属層17が形成されており、これにより、強磁性薄膜層16の磁気特性を安定化させることができ、磁気ヘッドとして望ましい特性が得られる。よって、強磁性薄膜層16と反強磁性薄膜層14との交換結合バイアスを大きくすることができ、このことから端部領域での強磁性薄膜層14による出力変化を低減することができる。
請求項（抜粋）：
基板上の中央の能動領域に形成された少なくとも磁気抵抗効果層を含む層と、前記能動領域の隣接接合部に縦方向バイアス場を生成する縦方向バイアス層とを有し、前記縦方向バイアス層は、前記基板上の前記隣接接合部上に広がる非磁性金属層と、該非磁性金属層上に形成された強磁性薄膜層と、該強磁性薄膜層上に形成された反強磁性薄膜層とからなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
