特許

J-GLOBAL ID：200903076304380731

薄膜EL素子用電極及びその形成方法

発明者： 山下 卓郎 ,  小倉 隆 ,  沖林 勝司 ,  吉田 勝 ,  中島 重夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217676
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【構成】 基板上に第1電極(背面電極)と第1絶縁層と発光層と第2絶縁層と第2電極(透明電極)とを順次積層した反転構造構造を有する薄膜EL素子において、基板に接して形成される該第1電極が高融点金属であり、かつ、該第1電極の側面が、斜めに傾斜していることを特徴とする。【効果】 反転構造のEL素子の作製が可能となり、第1電極(背面電極)の膜厚の増加に伴う絵素破壊、断線が改善され、安価な有機カラーフィルターとの組み合わせによるカラーEL薄膜素子が提供できる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1電極(背面電極)と第1絶縁層と発光層と第2絶縁層と第2電極(透明電極)とを順次積層した薄膜EL素子において、基板に接して形成される第1電極が高融点金属であり、かつ、第1電極(背面電極)の側面が、斜めに傾斜していることを特徴とする薄膜EL素子用電極。

IPC (3件)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H01L 29/40